对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/05 20:21:21
对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析

对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析
对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析

对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析
半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的二分之三关系）.
对于一般掺杂的半导体,迁移率在不很高的温度下即开始下降,这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故；但是对于重掺杂半导体,迁移率将要到较高的温度时,晶格振动散射才开始起作用,因此也要在较高的温度时迁移率才开始下降,并因此重掺杂半导体迁移率的温度稳定性较好（但重掺杂半导体的迁移率绝对值较低）.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

半导体的迁移率随温度的变化，主要决定于两种因素：一是晶格振动散射，二是电离杂质散射。
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的二分之三关系）。
对于一般掺杂的半导体，迁移率在不很高的温度下即开始下降，这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故；但是对于重掺杂半导体，迁移率将要到较高的温度时，晶格振动散射才开始起作...

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半导体的迁移率随温度的变化，主要决定于两种因素：一是晶格振动散射，二是电离杂质散射。
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的二分之三关系）。
对于一般掺杂的半导体，迁移率在不很高的温度下即开始下降，这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故；但是对于重掺杂半导体，迁移率将要到较高的温度时，晶格振动散射才开始起作用，因此也要在较高的温度时迁移率才开始下降，并因此重掺杂半导体迁移率的温度稳定性较好（但重掺杂半导体的迁移率绝对值较低）。

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