作业帮数据统计分析4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/15 14:28:37
数据统计分析4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考
数据统计分析
4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分
在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考虑其相应的影响因素.根据经验,电极间的间隙x1、气流（作为反应物气流浓度）x2和应用在阴极的RF功率是三个可能影响刻蚀效果的因素.为了量化分析,我们现进行16次实验（包括重复实验）,实验结果见附表1.请根据实验结果,回答下面的问题：
试确定工序刻蚀率的主要影响因素,并说明理由.
当电极间的间隙、气流和阴极的RF功率分别为1、150和300时,给出相应刻蚀率的预测结果.
能否通过适当控制得到一个最优工序刻蚀率?若存在最优的工序刻蚀率,请给出对应的相应的控制结果.
附表1 实验结果
序号 (cm) (SCCM) (W) (A/m)
1 0.8 125 275 550
2 1.2 125 275 669
3 0.8 200 275 633
4 1.2 200 275 642
5 0.8 125 275 1037
6 1.2 125 275 749
7 0.8 200 275 1075
8 1.2 200 275 729
9 0.8 125 325 604
10 1.2 125 325 650
11 0.8 200 325 601
12 1.2 200 325 635
13 0.8 125 325 1052
14 1.2 125 325 868
15 0.8 200 325 1063
16 1.2 200 325 860
数据统计分析4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考
SPSS,多因素分析
但是不了解数据的性质,统计方法的基本原理,以及以往人们是如何处理类似数据,想轻松的得到正确的结果.不太容易
更新一下：你这些数据不能判断是否线形（对我这样一个不懂你这个技术领域的人甚至都不能判断这是否是连续变量）,因为 (cm) (SCCM) (W)这三个变量都只有两个值,举个简单的例子,一个2元数据,Y：X ,我给你的数据中X只有1,2两个值,你怎么判断它是直线还是曲线?
正如我前面和你说的,你首先要了解数据性质,(cm) (SCCM) (W）,这三个值是不是可以任意设定的（即连续变量）,如果可以任意设,那应该多选点.如果不能任意设,只能是这几种组合,那回归就不适用,每种组合多做些样本,比较一下找个最佳组合就行了.
还有,我虽然不懂你的这个技术,但看下现有数据可明显发现,这个系统的输出误差很大,比较下第1,5组数据：
1 ：0.8 125 275 550
5 ：0.8 125 275 1037
在相同参数设定下,一组结果是全部里面最低的,一组却是很高.这你如何从专业角度理解.很明显现有的样本量也不够,但同时也要考虑是否有其它影响因素被忽略.
统计不是魔术,给些数据,就能得出答案,要自己理解你要研究的问题,理解数据,理解统计方法才行.
(顺便说一下看了你的数据后我的印象,cm对结果影响较大,当cm＝0.8时,A/m均值升高,但同时离散度增大,其它两变量基于有限数据看,对A/m似无大影响.这里的意义要你结合专业解释了）
祝好